Product Details

設備尺寸: X950*Y1080*Z1400

重量: 300KG

功率: 8KW

氣壓: 0.3~0.6MP

電壓: 220V

共晶時間: 10 sec/pc

CCD鏡頭放大倍數: 0.5-7X

共晶壓力: 10~ 50gf

料盒尺寸: (tray  2"X2")

加熱面積: 10x10mm

[敏感詞]溫度: 450 C

設備特點：

1, PH-100是COC等制程中將耐高溫基底與芯片，經過控制溫度曲線熔化焊料從而鍵合在一-起的共晶設備。

2,設備主要由共晶臺，貼片吸嘴組件，對位CCD，脈沖加熱系統等組成。

3,共晶臺包含X、Y、T三軸系統組成，上面設置共晶加熱模塊，冷氮氣環境保護系統，共晶臺冷卻系統。

4,貼片吸嘴組件設在Z軸上，Z軸用于控制貼片高度，貼片吸嘴組件設有彈簧壓力控制機構。

5,共晶模塊采用脈沖加熱方式，溫度可分段設定，溫度升降及焊接時間可精準控制。

設備結構：